SI1905DL-T1-E3

Изображения являются только для ссылки

SI1905DL-T1-E3

+БОМ

MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI1905DL-T1-E3

  • Лист данных SI1905DL-T1-E3 DataSheet

  • Пакет SC-88

  • В наличии3843

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 570mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 600mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Power - Max 270mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI1905DL-T1-E3