SI3529DV-T1-E3

Изображения являются только для ссылки

SI3529DV-T1-E3

+БОМ

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI3529DV-T1-E3

  • Пакет TSOT-23-6

  • В наличии3280

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.5A, 1.95A
Rds On(Max) @ Id Vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 205pF @ 20V
Power - Max 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI3529DV-T1-E3