SI4226DY-T1-E3

Изображения являются только для ссылки

SI4226DY-T1-E3

+БОМ

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI4226DY-T1-E3

  • Лист данных SI4226DY-T1-E3 DataSheet

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии6442

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 19.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1255pF @ 15V
Power - Max 3.2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI4226DY-T1-E3