Изображения являются только для ссылки
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
-
ПроизводительVishay Силиконикс
-
Мфр. Часть #SI4330DY-T1-E3
-
Лист данных SI4330DY-T1-E3 DataSheet
-
Пакет SOIC-8
-
В наличии3851
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 6.6A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 16.5mOhm @ 8.7A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
