SI4505DY-T1-E3

Изображения являются только для ссылки

SI4505DY-T1-E3

+БОМ

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI4505DY-T1-E3

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии5115

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A, 3.8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 18mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Power - Max 1.2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI4505DY-T1-E3