SI4511DY-T1-E3

Изображения являются только для ссылки

SI4511DY-T1-E3

+БОМ

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI4511DY-T1-E3

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии3538

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.2A, 4.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Power - Max 1.1W
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI4511DY-T1-E3