Изображения являются только для ссылки
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
-
ПроизводительVishay Силиконикс
-
Мфр. Часть #SI4808DY-T1-E3
-
Лист данных SI4808DY-T1-E3 DataSheet
-
Пакет SOIC-8
-
В наличии3161
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | LITTLE FOOT® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 5.7A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Power - Max | 1.1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
