SI4816DY-T1-E3

Изображения являются только для ссылки

SI4816DY-T1-E3

+БОМ

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI4816DY-T1-E3

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии4691

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series LITTLE FOOT®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.3A, 7.7A
Rds On(Max) @ Id Vgs 22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Power - Max 1W, 1.25W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI4816DY-T1-E3