SI4914DY-T1-E3

Изображения являются только для ссылки

SI4914DY-T1-E3

+БОМ

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI4914DY-T1-E3

  • Лист данных SI4914DY-T1-E3 DataSheet

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии2995

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series LITTLE FOOT®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.5A, 5.7A
Rds On(Max) @ Id Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V
Power - Max 1.1W, 1.16W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI4914DY-T1-E3