Изображения являются только для ссылки
SI4940DY-T1-E3
+БОМMOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
-
ПроизводительVishay Силиконикс
-
Мфр. Часть #SI4940DY-T1-E3
-
Лист данных SI4940DY-T1-E3 DataSheet
-
Пакет SOIC-8
-
В наличии6156
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 4.2A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 36mOhm @ 5.7A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Power - Max | 1.1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
