Изображения являются только для ссылки
SI5519DU-T1-GE3
+БОМMOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETS
-
ПроизводительVishay Силиконикс
-
Мфр. Часть #SI5519DU-T1-GE3
-
Пакет PowerPAK® ChipFET™ Dual
-
В наличии2531
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 6A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 36mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
| Power - Max | 10.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
