SI5980DU-T1-GE3

Изображения являются только для ссылки

SI5980DU-T1-GE3

+БОМ

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI5980DU-T1-GE3

  • Пакет PowerPAK® ChipFET™ Dual

  • В наличии7026

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 567mOhm @ 400mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.3nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 78pF @ 50V
Power - Max 7.8W
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI5980DU-T1-GE3