SI6562DQ-T1-E3

Изображения являются только для ссылки

SI6562DQ-T1-E3

+БОМ

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI6562DQ-T1-E3

  • Пакет TSSOP-8

  • В наличии2018

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Power - Max 1W
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI6562DQ-T1-E3