SI6969BDQ-T1-GE3

Изображения являются только для ссылки

SI6969BDQ-T1-GE3

+БОМ

MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI6969BDQ-T1-GE3

  • Пакет TSSOP-8

  • В наличии9660

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 30mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Power - Max 830mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI6969BDQ-T1-GE3