SI8900EDB-T2-E1

Изображения являются только для ссылки

SI8900EDB-T2-E1

+БОМ

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI8900EDB-T2-E1

  • Пакет UFBGA-10

  • В наличии2692

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.4A
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Power - Max 1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI8900EDB-T2-E1