Изображения являются только для ссылки
SI8902EDB-T2-E1
+БОМMOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
-
ПроизводительVishay Силиконикс
-
Мфр. Часть #SI8902EDB-T2-E1
-
Лист данных SI8902EDB-T2-E1 DataSheet
-
Пакет 6-MICRO FOOT®CSP
-
В наличии8627
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 3.9A |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 980µA |
| Power - Max | 1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
