SI9926BDY-T1-E3

Изображения являются только для ссылки

SI9926BDY-T1-E3

+БОМ

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SI9926BDY-T1-E3

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии7249

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Power - Max 1.14W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SI9926BDY-T1-E3