SIB914DK-T1-GE3

Изображения являются только для ссылки

SIB914DK-T1-GE3

+БОМ

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

  • ПроизводительVishay Силиконикс

  • Мфр. Часть #SIB914DK-T1-GE3

  • Пакет PowerPAK® SC-75-6L Dual

  • В наличии2019

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 113mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.6nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 125pF @ 4V
Power - Max 3.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SIB914DK-T1-GE3