Изображения являются только для ссылки
SICB0860P-TP
+БОМSIC SCHOTTKY BARRIER , 8A ,650V
-
ПроизводительМикрокоммерческая компания
-
Мфр. Часть #SICB0860P-TP
-
Лист данных SICB0860P-TP DataSheet
-
Пакет TO-263-3
-
В наличии6302
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Micro Commercial Co |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 8A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 36 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 346pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
