SIS590DN-T1-GE3

Изображения являются только для ссылки

SIS590DN-T1-GE3

+БОМ

COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Power - Max 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SIS590DN-T1-GE3

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку SIS590DN-T1-GE3 Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.