SQJ202EP-T1_GE3

Изображения являются только для ссылки

SQJ202EP-T1_GE3

+БОМ

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A, 60A
Rds On(Max) @ Id Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 975pF @ 6V
Power - Max 27W, 48W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SQJ202EP-T1_GE3

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку SQJ202EP-T1_GE3 Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.