SQJ844AEP-T1_GE3

Изображения являются только для ссылки

SQJ844AEP-T1_GE3

+БОМ

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1161pF @ 15V
Power - Max 48W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с SQJ844AEP-T1_GE3

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку SQJ844AEP-T1_GE3 Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.