Изображения являются только для ссылки
SQJ910AEP-T2_GE3
+БОМDUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
-
ПроизводительVishay Силиконикс
-
Мфр. Часть #SQJ910AEP-T2_GE3
-
Лист данных SQJ910AEP-T2_GE3 DataSheet
-
Пакет PowerPAK® SO-8 Dual
-
В наличии4979
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 7mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1869pF @ 15V |
| Power - Max | 48W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |