Изображения являются только для ссылки
STB6N65M2
+БОМMOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STB6N65M2
-
Лист данных STB6N65M2 DataSheet
-
В наличии8508
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | MDmesh™ |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 650 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 4A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 1.35Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±25V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 226 pF @ 100 V |
| PowerDissipation(Max) | 60W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D²PAK (TO-263) |
