STB7ANM60N

Изображения являются только для ссылки

STB7ANM60N

+БОМ

MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK

  • ПроизводительSTМикроэлектроника

  • Мфр. Часть #STB7ANM60N

  • В наличии7157

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier STMicroelectronics
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 363 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK

Продукты, связанные с STB7ANM60N