Изображения являются только для ссылки
STB7NK80Z-1
+БОМMOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STB7NK80Z-1
-
Лист данных STB7NK80Z-1 DataSheet
-
В наличии3077
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package / Case | Tube |
| Series | SuperMESH™ |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 1.8Ohm @ 2.6A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1138 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | I2PAK |
