Изображения являются только для ссылки
STB80NF55-06-1
+БОМMOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STB80NF55-06-1
-
Лист данных STB80NF55-06-1 DataSheet
-
В наличии5871
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package / Case | Tube |
| Series | STripFET™ II |
| Part Status | Last Time Buy |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 6.5mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 189 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | I2PAK |
