STD80N6F6

Изображения являются только для ссылки

STD80N6F6

+БОМ

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK

  • ПроизводительSTМикроэлектроника

  • Мфр. Часть #STD80N6F6

  • В наличии6761

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Series DeepGATE™, STripFET™ VI
Part Status Obsolete
Base Product Number STD80
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7480 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade Automotive
Qualification AEC-Q101
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DPAK
Package TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging Tape & Reel (TR)

Продукты, связанные с STD80N6F6