STP80NE06-10

Изображения являются только для ссылки

STP80NE06-10

+БОМ

MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB

  • ПроизводительSTМикроэлектроника

  • Мфр. Часть #STP80NE06-10

  • Лист данных STP80NE06-10 DataSheet

  • В наличии9673

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier STMicroelectronics
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 10mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220

Продукты, связанные с STP80NE06-10