STPSC1006G-TR

Изображения являются только для ссылки

STPSC1006G-TR

+БОМ

DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

  • ПроизводительSTМикроэлектроника

  • Мфр. Часть #STPSC1006G-TR

  • Лист данных STPSC1006G-TR DataSheet

  • Пакет TO-263-3

  • В наличии3664

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier STMicroelectronics
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Current - Average Rectified(Io) 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 150 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr F 650pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D²PAK

Продукты, связанные с STPSC1006G-TR