Изображения являются только для ссылки
STU10NM65N
+БОМMOSFET N-CH 650V 9A IPAK
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STU10NM65N
-
Лист данных STU10NM65N DataSheet
-
В наличии7007
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package / Case | Tube |
| Series | MDmesh™ II |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 480mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±25V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | I-PAK |
