VMO1600-02P

Изображения являются только для ссылки

VMO1600-02P

+БОМ

MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #VMO1600-02P

  • Лист данных VMO1600-02P DataSheet

  • В наличии3203

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tray
Series PolarHT™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1900A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.7mOhm @ 1600A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2900 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package Y3-Li

Продукты, связанные с VMO1600-02P