WNSC2D10650TJ

Изображения являются только для ссылки

WNSC2D10650TJ

+БОМ

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

  • Производителькомпанией WeEn Semiconductors

  • Мфр. Часть #WNSC2D10650TJ

  • Пакет VSFN-4

  • В наличии8081

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier WeEn Semiconductors
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io) 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F 310pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 5-DFN (8x8)

Продукты, связанные с WNSC2D10650TJ

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку WNSC2D10650TJ Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.