ZXMN10A08DN8TC

Изображения являются только для ссылки

ZXMN10A08DN8TC

+БОМ

MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

  • ПроизводительВключенные диоды

  • Мфр. Часть #ZXMN10A08DN8TC

  • Лист данных ZXMN10A08DN8TC DataSheet

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии8856

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Diodes Incorporated
Package / Case Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 405pF @ 50V
Power - Max 1.25W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с ZXMN10A08DN8TC