2N7002 vs 2N7002E-T1-E3

Это подробное сравнение 2N7002 и 2N7002E-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Replacement verdict

Compatible functional replacement candidate

The 2N7002E-T1-E3 is a functionally compatible replacement candidate for the 2N7002, sharing the same N-channel enhancement-mode MOSFET architecture, SOT-23 package, and 60 V drain-source rating. Designers should validate gate threshold voltage tolerance and on-resistance at the intended operating point before committing to production, as these parameters may shift switching behavior in sensitive circuits.

Drain-Source Voltage Rating High match
Package Type High match
On-Resistance Validation required
Gate Threshold Voltage Validation required

Review the critical differences →

Parts at a glance

Part A

2N7002

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
1470 ПКС
Package
SOT-23
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

2N7002E-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
7566 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002 2N7002E-T1-E3
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 200mA (Tc) 240mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V 3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2 nC @ 5 V 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±18V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 43 pF @ 25 V 21 pF @ 5 V
Power Dissipation (Max) 350mW (Tc) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series STripFET™ -
Compare RFQ