2N7002DW vs 2N7002E-T1-E3

Это подробное сравнение 2N7002DW и 2N7002E-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
2N7002DW

+БОМ

6631 ПКС | Онсеми
2N7002E-T1-E3

+БОМ

7566 ПКС | Vishay Силиконикс
Пакет SOT23-3
Описание MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 240mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 21 pF @ 5 V
PowerDissipation(Max) - 350mW (Ta)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Part Status Active -
Base Product Number 2N7002 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V -
Power - Max 200mW -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Модель сравнения : 2N7002DW 2N7002E-T1-E3

+БОМ RFQ