2N7002DW vs 2N7002-7-F Сравнение

Это подробное сравнение 2N7002DW и 2N7002-7-F предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
2N7002DW

+БОМ

6631 ПКС | Онсеми
2N7002-7-F

+БОМ

5757 ПКС | Включенные диоды
Пакет SOT-23-3
Описание MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Part Status Active Active
FET Type - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 115mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 250µA
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) - 370mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number 2N7002 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V -
Power - Max 200mW -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Модель сравнения : 2N7002DW 2N7002-7-F

+БОМ RFQ