2N7002E
Электронные компоненты Panasonic
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 3552 ПКС
- Package
- SOT-23-3
- Series
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
Это подробное сравнение 2N7002E и 2N7002LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
Replacement verdict
The 2N7002E is a compatible functional replacement candidate for the 2N7002LT1G in most low-power switching applications, with matching drain-source voltage, continuous drain current, and package type. Designers should validate gate threshold voltage tolerance and RDS(on) at the specific drive conditions before committing to production.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | 2N7002E | 2N7002LT1G |
|---|---|---|
| Part Status | Obsolete | Active |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | 60 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 300mA (Ta) | 115mA (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V | 5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 3Ohm @ 100mA, 10V | 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 0.8 nC @ 4.5 V | - |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V | 50 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) | 225mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |