APT30DQ60BG vs APT30GP60LDLG Сравнение

Это подробное сравнение APT30DQ60BG и APT30GP60LDLG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
APT30DQ60BG

+БОМ

1309 ПКС | Технология микрочипов
APT30GP60LDLG

+БОМ

2964 ПКС | корпорации Microsemi
Пакет TO-247-2 TO-264-3
Описание DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 IGBT 600V 100A 463W TO264
Supplier - Microchip Technology
Part Status Active Active
IGBT Type - PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) - 100 A
Current - Collector Pulsed(Icm) - 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic - 2.7V @ 15V, 30A
Power - Max - 463 W
Switching Energy - 260µJ (on), 250µJ (off)
Input Type - Standard
Gate Charge - 90 nC
Td(on / off) @ 25°C - 13ns/55ns
Test Condition - 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Diode Type Standard -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V -
Current - Average Rectified(Io) 30A -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.4 V @ 30 A -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns -
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 600 V -
Модель сравнения : APT30DQ60BG APT30GP60LDLG

+БОМ RFQ