AUIRF7342QTR vs AUIRF9952QTR

Это подробное сравнение AUIRF7342QTR и AUIRF9952QTR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

AUIRF7342QTR

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
3197 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

AUIRF9952QTR

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
4665 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification AUIRF7342QTR AUIRF9952QTR
Supplier - Infineon Technologies
Series Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.4A 3.5A, 2.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 38nC @ 10V 14nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 690pF @ 25V 190pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ