AUIRS2181STR vs AUIRS2110S Сравнение

Это подробное сравнение AUIRS2181STR и AUIRS2110S предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
AUIRS2181STR

+БОМ

5680 ПКС | компанией Infineon Technologies
AUIRS2110S

+БОМ

5519 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-W-16
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 3V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.9A, 2.3A 2.5A, 2.5A
Input Type Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 500 V
Rise / Fall Time(Typ) 15ns, 15ns 25ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : AUIRS2181STR AUIRS2110S

+БОМ RFQ