BAV99LT3G
Онсеми
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 12125 ПКС
- Package
- TO-236-3
- Series
- Диоды - Исправители - Массивы
Это подробное сравнение BAV99LT3G и BAV99-7-G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | BAV99LT3G | BAV99-7-G |
|---|---|---|
| Supplier | onsemi | Diodes Incorporated |
| Part Status | Active | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V | 75 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 215mA (DC) | 300mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6 ns | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.5 µA @ 70 V | 2.5 µA @ 75 V |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |