BAV99LT3G vs BAV99E6327

Это подробное сравнение BAV99LT3G и BAV99E6327 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BAV99LT3G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 12125 ПКС
Package: TO-236-3
Series: Диоды - Исправители - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

BAV99E6327

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 5629 ПКС
Package: TO-236-3
Series: Диоды - Исправители - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BAV99LT3G	BAV99E6327
Supplier	onsemi	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Diode Configuration	1 Pair Series Connection	1 Pair Series Connection
Diode Type	Standard	Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100 V	80 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode)	215mA (DC)	200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25 V @ 150 mA	1.25 V @ 150 mA
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	6 ns	4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	2.5 µA @ 70 V	150 nA @ 70 V
Operating Temperature - Junction	-65°C ~ 150°C	150°C (Max)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ