BAW56,215 vs BAW56E6327

Это подробное сравнение BAW56,215 и BAW56E6327 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BAW56,215

Компания NXP USA Inc.

Lifecycle
Active
Stock
7892 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Диоды - Исправители - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

BAW56E6327

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
5829 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Диоды - Исправители - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BAW56,215 BAW56E6327
Supplier Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Diode Configuration 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Anode
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 90 V 80 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 215mA (DC) 200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) 4 ns 4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 nA @ 80 V 150 nA @ 70 V
Operating Temperature - Junction 150°C (Max) 150°C (Max)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ