BAW56,215 vs BAW56LT116

Это подробное сравнение BAW56,215 и BAW56LT116 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BAW56,215

Компания NXP USA Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 7892 ПКС
Package: TO-236-3
Series: Диоды - Исправители - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

BAW56LT116

компанией Rohm Semiconductor

Lifecycle: Active
Stock: 5215 ПКС
Package: TO-236-3
Series: Диоды - Исправители - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BAW56,215	BAW56LT116
Supplier	Rochester Electronics, LLC	Rohm Semiconductor
Part Status	Active	Obsolete
Diode Configuration	1 Pair Common Anode	1 Pair Common Anode
Diode Type	Standard	Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	90 V	70 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode)	215mA (DC)	215mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25 V @ 150 mA	1.25 V @ 150 mA
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	4 ns	4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	500 nA @ 80 V	1 µA @ 75 V
Operating Temperature - Junction	150°C (Max)	150°C (Max)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ