BC847BLT1G vs BC847BVN115

Это подробное сравнение BC847BLT1G и BC847BVN115 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BLT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
6873 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

BC847BVN115

Филипс

Lifecycle
Active
Stock
6633 ПКС
Package
SOT-563
Series
Специализированные ИК
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC847BLT1G BC847BVN115
Part Status Active Active
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V -
Power - Max 300 mW -
Frequency - Transition 100MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Compare RFQ