BC847BVN115 vs BC847BLT3G

Это подробное сравнение BC847BVN115 и BC847BLT3G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BVN115

Филипс

Lifecycle: Active
Stock: 6633 ПКС
Package: SOT-563
Series: Специализированные ИК

+БОМ RFQ

Part B

BC847BLT3G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 1695 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC847BVN115	BC847BLT3G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	-	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	-	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	-	45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	-	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	-	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	-	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	-	300 mW
Frequency - Transition	-	100MHz
Operating Temperature	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	-	Surface Mount

Compare RFQ