BC856BLT1G vs BC856BDW1T1G

Это подробное сравнение BC856BLT1G и BC856BDW1T1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC856BLT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 5949 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

BC856BDW1T1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 3990 ПКС
Package: SOT-363-6
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC856BLT1G	BC856BDW1T1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	PNP	2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	65 V	65V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	220 @ 2mA, 5V	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	300 mW	380mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ