BC856BLT1G vs BC856BDW1T3

Это подробное сравнение BC856BLT1G и BC856BDW1T3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

BC856BLT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
5949 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

BC856BDW1T3

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
5795 ПКС
Package
SC-88
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC856BLT1G BC856BDW1T3
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP 2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 65 V 65V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 380mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
Compare RFQ