BCP56 vs BCP56-10T1G

Это подробное сравнение BCP56 и BCP56-10T1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BCP56

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
1682 ПКС
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - однополярные транзисторы
+БОМ RFQ
Part B

BCP56-10T1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
1566 ПКС
Package
SOT-223-4
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BCP56 BCP56-10T1G
Part Status Obsolete Active
Base Product Number BCP56 -
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 1.2 A -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) -
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V -
Power - Max 1 W 1.5 W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) -
Current - Collector(Ic)(Max) - 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition - 130MHz
Compare RFQ